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，支架等離子體表面清洗設(shè)備而其他的都是基于當前駕駛理論的1/E模型。 E 模型也稱為熱化學(xué)模型。該模型表明，TDDB在低電場強度和高溫下發(fā)生的原因是電場促進了電介質(zhì)原子鍵的熱擊穿，外加電場可以延長極性分子鍵并使其在熱過程。會更高。電場的存在降低了破壞分子鍵所需的能量，因此降解速率隨電場呈指數(shù)增加。如果斷裂鍵或滲透點的局部密度足夠高，則形成從陽極到陰極的導(dǎo)電通路，此時發(fā)生失效，對應(yīng)的時間就是失效時間。

在某些情況下，支架等離子體表面清洗設(shè)備此結(jié)果不能完全取決于確定是否滿足處理要求。例如，在去除顆粒的過程中，水滴角測試無法顯示顆粒是否已被去除。接觸角測試儀是一種用寬幅等離子裝置測量各種材料表面加工前后水滴角度的裝置。這取決于被加工材料的分子或結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)。不同的初始表面能材料在等離子體處理前后具有不同的表面反應(yīng)。因為相同，加工后的角度不同，尤其是有機材料。

接觸角測量簡單快速，支架等離子去膠設(shè)備作為一種高靈敏度的表面性質(zhì)測試技術(shù)，可以準確表征材料經(jīng)過等離子體處理后表面能的動態(tài)變化過程[21, 22]。等離子處理后，高分子材料表面的接觸角明顯降低，但隨著時間的推移接觸角逐漸增大，這種變化反映了高分子材料表面極性基團的衰減。等離子處理的老化。由于高分子材料的結(jié)晶度與老化密切相關(guān)，因此高分子材料的結(jié)晶度可以通過等離子體處理后材料表面接觸角的變化特征來推斷。

它還增加了形成的自由基的濃度，支架等離子體表面清洗設(shè)備并增加了自由基通過重組形成產(chǎn)物的可能性。因此，隨著等離子表面處理裝置產(chǎn)量的增加，C2H6的轉(zhuǎn)化率和C2H2的收率呈上升趨勢。 C2H4和CH4收率隨著等離子注入量的增加呈小幅上升趨勢，可能與C2H4和CH4是該反應(yīng)的主要反應(yīng)產(chǎn)物，C2H2更穩(wěn)定、有性有關(guān)。

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冷等離子體的能量約為幾十電子伏特，其中所含的離子、電子、自由基等活性粒子很容易與固體表面的污染物分子發(fā)生反應(yīng)并解吸。清潔效果。同時，冷等離子體的能量遠低于高能射線的能量，因此該技術(shù)只接觸材料表面，不影響材料基體的性能。等離子清洗是一個干燥的過程。因為它使用電能催化反應(yīng)，它提供了一個寒冷的環(huán)境，消除了安全、可靠和環(huán)保的濕化學(xué)清洗的風(fēng)險和排放物。

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